【赛迪网 通讯产业讯】11月15日消息，美国芯片制造商高通公司称，其45纳米工艺的3G芯片已成功完成了一次通话。这种CMOS半导体45纳米芯片的特点是速度更高、能量消耗量较低、兼容性更强，也因而可以降低模具成本。
据国外媒体报道，高通公司此次首批采用的45纳米芯片是由半导体代工商台湾积体电路制造股份有限公司（简称台积电）提供的。
高通公司在最近的优化低功耗45纳米工艺中采用了浸没式光刻技术和作为金属导线间的绝缘层的低介电常数材料。这种工艺技术使产品的性能更具竞争力，同时也具有更显著的成本效益，还能减少渗漏并提高融合度。据悉，高通公司目前还在开发40纳米工艺技术。
(责任编辑：饶翊)
